FEIHONG

FHF10N60A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

FHU50N06A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

FHF10N80A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

TIP127C
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿管
描述: TIP127C

FHS90N08C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

FHF18N50C
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W(Tc) 类型：N沟道

S8550DA
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：1W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@10mA,1V

FHP1404A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：176W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.7mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

D880A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)

FHS150N03A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：26V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6mΩ@10V,50A