DOWO
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SMF190CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS SOD123 Ppp=200W VC=308V Ipp=0.65A VRWM=190V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 308V 击穿电压: 211V 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD123 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 650mA 系列: SMF 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.30mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 211V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS SOD123 Ppp=200W VC=308V Ipp=0.65A VRWM=190V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 308V 击穿电压: 211V 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD123 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 650mA 系列: SMF 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.30mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 211V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
SM8S33CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: AECQ-101
安装类型: SMT 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: 10μA 击穿电压: 36.7V 功率-峰值脉冲: 6.6KW 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 13.50 x 10.00mm 存储温度: -55~+175℃ 封装/外壳: DO218AB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 124A 原产国家: China 击穿电压Max: 40.6V 认证信息: RoHS 高度: 5.00mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 36.7V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: AECQ-101
安装类型: SMT 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: 10μA 击穿电压: 36.7V 功率-峰值脉冲: 6.6KW 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 13.50 x 10.00mm 存储温度: -55~+175℃ 封装/外壳: DO218AB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 124A 原产国家: China 击穿电压Max: 40.6V 认证信息: RoHS 高度: 5.00mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 36.7V
SRV05-4LA4A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SOT23-6L 5V
安装类型: SMT 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 功率-峰值脉冲: 60W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23-6L 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 击穿电压Max: 9.5V 通道数: 5 认证信息: RoHS 结电容: 0.8pF 高度: 1.25mm 击穿电压 -min: 6V 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SOT23-6L 5V
安装类型: SMT 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 功率-峰值脉冲: 60W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23-6L 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 击穿电压Max: 9.5V 通道数: 5 认证信息: RoHS 结电容: 0.8pF 高度: 1.25mm 击穿电压 -min: 6V 引脚数: 6Pin
SM8S24A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=24V VBR(Min)=26.7V VC=38.9V IPP=170A DO218AB
安装类型: SMT 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: - 击穿电压: 26.7V 最大工作电压(DC): 24V 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 13.50 x 10.00mm 存储温度: -55~+175℃ 封装/外壳: DO218AB 等级: Industrial 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 170A 系列: SM8S 通道数: 1 高度: 5.00mm 结电容: - 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=24V VBR(Min)=26.7V VC=38.9V IPP=170A DO218AB
安装类型: SMT 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: - 击穿电压: 26.7V 最大工作电压(DC): 24V 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 13.50 x 10.00mm 存储温度: -55~+175℃ 封装/外壳: DO218AB 等级: Industrial 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 170A 系列: SM8S 通道数: 1 高度: 5.00mm 结电容: - 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V
LDP33CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 击穿电压：12.4至72V 峰值脉冲功率：6000W
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: DOWO 击穿电压: 36.7V 功率-峰值脉冲: 6KW 包装: Box Packing 极性: 双向 长x宽/尺寸: Φ9.14 x 9.14mm 反向断态电压: 33V 封装/外壳: R6_D9.14X9.14MM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 112A 通道数: 1 最小包装: 250pcs 认证信息: RoHS 高度: 9.14mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 36.7V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 击穿电压：12.4至72V 峰值脉冲功率：6000W
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: DOWO 击穿电压: 36.7V 功率-峰值脉冲: 6KW 包装: Box Packing 极性: 双向 长x宽/尺寸: Φ9.14 x 9.14mm 反向断态电压: 33V 封装/外壳: R6_D9.14X9.14MM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 112A 通道数: 1 最小包装: 250pcs 认证信息: RoHS 高度: 9.14mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 36.7V 类型: TVS
P6KE520CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS DO15 Ppp=600W VC=717.6V Ipp=0.84A VRWM=444.6V
安装类型: 插件 钳位电压: 717.6V 是否无铅: Yes 品牌: DOWO 击穿电压: 494V 功率-峰值脉冲: 600W 包装: Box Packing 极性: 双向 长x宽/尺寸: Φ3.61 x 7.63mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DO15 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 840mA 击穿电压Max: 546V 通道数: 1 最小包装: 2000pcs 高度: 3.61mm 击穿电压 -min: 494V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS DO15 Ppp=600W VC=717.6V Ipp=0.84A VRWM=444.6V
安装类型: 插件 钳位电压: 717.6V 是否无铅: Yes 品牌: DOWO 击穿电压: 494V 功率-峰值脉冲: 600W 包装: Box Packing 极性: 双向 长x宽/尺寸: Φ3.61 x 7.63mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DO15 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 840mA 击穿电压Max: 546V 通道数: 1 最小包装: 2000pcs 高度: 3.61mm 击穿电压 -min: 494V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
SM8S36CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=36V VBR(min)=40V VC=58.1V@IPP=114A DO218AB
安装类型: SMT 钳位电压: 58.1V 是否无铅: Yes 品牌: DOWO 击穿电压: 40V 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 功率-峰值脉冲: 6.6KW 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 13.50 x 10.00mm 封装/外壳: DO218AB 元件生命周期: Active 等级: AEC-Q101 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 114A 系列: SM8S 最小包装: 750pcs 高度: 5.00mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 40V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=36V VBR(min)=40V VC=58.1V@IPP=114A DO218AB
安装类型: SMT 钳位电压: 58.1V 是否无铅: Yes 品牌: DOWO 击穿电压: 40V 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 功率-峰值脉冲: 6.6KW 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 13.50 x 10.00mm 封装/外壳: DO218AB 元件生命周期: Active 等级: AEC-Q101 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 114A 系列: SM8S 最小包装: 750pcs 高度: 5.00mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 40V
P4KE6.8CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 双向TVS 5.8V截止 38.1A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):5.8V 最大钳位电压:10.5V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:38.1A 击穿电压:6.46V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 双向TVS 5.8V截止 38.1A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):5.8V 最大钳位电压:10.5V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:38.1A 击穿电压:6.46V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件
5KP400CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 反向电压：5.0至440 V 峰值脉冲功率：5000 W
安装类型: 插件 钳位电压: 648V 品牌: DOWO 击穿电压: 447V 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 极性: 双向 包装: Box Packing 长x宽/尺寸: Φ9.14 x 9.14mm 反向断态电压: 400V 封装/外壳: R6_D9.14X9.14MM 元件生命周期: Active 峰值脉冲电流（Ipp）: 7.72A 系列: 5KP 原产国家: China 击穿电压Max: 494V 最小包装: 150pcs 高度: 9.14mm 击穿电压 -min: 447V 类型: TVS 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 反向电压：5.0至440 V 峰值脉冲功率：5000 W
安装类型: 插件 钳位电压: 648V 品牌: DOWO 击穿电压: 447V 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 极性: 双向 包装: Box Packing 长x宽/尺寸: Φ9.14 x 9.14mm 反向断态电压: 400V 封装/外壳: R6_D9.14X9.14MM 元件生命周期: Active 峰值脉冲电流（Ipp）: 7.72A 系列: 5KP 原产国家: China 击穿电压Max: 494V 最小包装: 150pcs 高度: 9.14mm 击穿电压 -min: 447V 类型: TVS 引脚数: 2Pin
P6SMB20A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SMB SMT 17.1V
安装类型: SMT 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 19V 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.85 x 3.75mm 反向断态电压: 17.1V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 21.66A 系列: P6SMB 原产国家: China 击穿电压Max: 21V 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 19V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SMB SMT 17.1V
安装类型: SMT 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 19V 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.85 x 3.75mm 反向断态电压: 17.1V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 21.66A 系列: P6SMB 原产国家: China 击穿电压Max: 21V 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 19V 类型: TVS