BORN

商品列表
SMAJ6.8CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 二极管配置:1对共阳极 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):6ns
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 500uA 零件状态: 在售 应用: 通用 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 系列: SMAJ 极性(单双向): 双向 工作电压VR-VI(max): 5.8V 击穿电压 V(BR)-min: 6.45V 钳位电压 VC: 10.5V 峰值脉冲电流(Ipp): 39.5A 峰值脉冲功率: 400W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMA(DO-214AC)
GBLC24C-N
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: [双向ESD, 空气15KA 接触15KA]
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 最大工作电压(DC): 24V 击穿电压: 26.7V 功率-峰值脉冲: 240W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4A 通道数: 2 高度: 1.00mm 结电容: 1pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V 类型: ESD 引脚数: 2Pin
RCLAMP0504FATCT-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT363 VC=15V IPP=3.5A 60W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 50nA 最大工作电压(DC): 5V 电源电压: 5V 功率-峰值脉冲: 60W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: SOT363 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 3.5A 原产国家: China 通道数: 4 结电容: 0.25pF@1MHz 高度: 0.95mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V
BWF102N
供应商: Anychip Mall
分类: 陶瓷气体放电管(GDT)
描述: 8/20us 3KA贴片 电源口/信号口防雷击浪涌
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 击穿电压: 1KV 精度: ±30% 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 电容: 1pF 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.20mm 封装/外壳: GDT_4.2X5MM_SM 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 原产国家: China 额定电压-DC: 500V 绝缘电阻: 1GΩ 结电容: 1pF@1MHz 高度: 5.00mm 零件状态: Active 应用: Communication equipment,Power Supplies,Broadband equipment,General telecom equipment
PESD3V3L2BT-N
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: [双向ESD, 静电TVS PCAN/串口]
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1uA 最大工作电压(DC): 3V 击穿电压: 4V 功率-峰值脉冲: 400W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 反向断态电压: 3V 封装/外壳: SOT23 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 24A 通道数: 2 认证信息: RoHS 结电容: 100pF@1MHz 高度: 1.15mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 4V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
RCLAMP0531T-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=5V VBR(min)=6V VC=15V@IPP=3.5A DFN2_1X0.6MM
安装类型: SMT 钳位电压: 15V 反向漏电流 IR: 0.1uA 击穿电压: 6V 最大工作电压(DC): 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: 60W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: DFN-1006 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 3.5A 原产国家: China 击穿电压Max: 8V 结电容: 0.5pF@1MHz 高度: 0.55mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V
BSD3C031V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: VRWM=3V Bipolar
工作电压VR-VI(max): 3V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 3V 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 25A 击穿电压 V(BR)-min: 4V 通道数: 1 认证信息: RoHS 结电容: 100pF@1MHz 高度: 1.00mm 引脚数: 2Pin
1.0SMBJ5.0CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: DO-214AA 1000W VRWM=5.0V 双向 功率TVS 电源口
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 200μA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性(单双向): 双向 工作电压VR-VI(max): 5V 击穿电压 V(BR)-min: 6.4V 钳位电压 VC: 9.2V 峰值脉冲电流(Ipp): 108.7A 峰值脉冲功率: 1000W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
A7
供应商: Anychip Mall
分类: 其他二极管
描述: 电压:1kV 电流:1A
安装类型: SMT 品牌: Born 总电容C: 15pF 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.1V@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.95mm 封装/外壳: SOD-123FL 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.40mm 引脚数: 2Pin
PESD15VS1UB-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD-523 50pF VC=38V IPP=6A
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 15V 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 15V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 结电容值: 50pF@1MHz 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 6A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 16.7V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 0.7mm