BORN
商品列表
BESDU0603-14
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 双向ESD
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1nA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 封装/外壳: 0603 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 系列: BESDU0603 最大工作电压: 14V 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 通道数: - 认证信息: RoHS 高度: 0.80mm 结电容: 0.15pF@1MHz 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 双向ESD
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1nA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 封装/外壳: 0603 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 系列: BESDU0603 最大工作电压: 14V 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 通道数: - 认证信息: RoHS 高度: 0.80mm 结电容: 0.15pF@1MHz 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
BE6208
供应商: Anychip Mall
分类: 电机驱动芯片
描述: 可替代UTC6208等
安装类型: SMT 品牌: Born 电源电压: 4.5V~15V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: 卷装 输入电压: 12V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 电源电流: 22mA 工作温度: -20℃~+80℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.77mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 电机驱动芯片
描述: 可替代UTC6208等
安装类型: SMT 品牌: Born 电源电压: 4.5V~15V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: 卷装 输入电压: 12V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 电源电流: 22mA 工作温度: -20℃~+80℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.77mm 引脚数: 8Pin
PESD15VL1BA-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD323 20pF VC=32V IPP=10A Ppp=320W VBR(Min)=16.7V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 最大工作电压(DC): 15V 击穿电压: 16.7V 电源电压: 15V 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 15V 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 通道数: 1 高度: 1.00mm 结电容: 20pF@1MHz 击穿电压 -min: 16.7V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD323 20pF VC=32V IPP=10A Ppp=320W VBR(Min)=16.7V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 最大工作电压(DC): 15V 击穿电压: 16.7V 电源电压: 15V 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 15V 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 通道数: 1 高度: 1.00mm 结电容: 20pF@1MHz 击穿电压 -min: 16.7V 引脚数: 2Pin
SMFJ15CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 200W VRWM=15V 双向 功率TVS 电源口
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 最大工作电压(DC): 15V 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 8.2A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 16.7V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 零件状态: Active 应用: Computer Server,Industrial,Consumer 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 200W VRWM=15V 双向 功率TVS 电源口
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 最大工作电压(DC): 15V 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 8.2A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 16.7V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 零件状态: Active 应用: Computer Server,Industrial,Consumer 引脚数: 2Pin
SI2301S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：210mΩ@2.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
安装类型: SMT 品牌: BORN 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.6V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 210mΩ@2.5V,1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 充电电量: 5.3nC 原产国家: China 输入电容: 177pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.3nC 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：210mΩ@2.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
安装类型: SMT 品牌: BORN 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.6V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 210mΩ@2.5V,1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 充电电量: 5.3nC 原产国家: China 输入电容: 177pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.3nC 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
SMFJ24A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器VC=38.9V IPP=5.1A SOD123FL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 击穿电压: 26.7V 最大工作电压(DC): 24V 功率-峰值脉冲: 200W 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.10A 通道数: 1 高度: 1.40mm 击穿电压 -min: 26.7V 类型: TVS 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器VC=38.9V IPP=5.1A SOD123FL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 击穿电压: 26.7V 最大工作电压(DC): 24V 功率-峰值脉冲: 200W 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.10A 通道数: 1 高度: 1.40mm 击穿电压 -min: 26.7V 类型: TVS 引脚数: 2Pin
DSS34
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:40V 电流:3A
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: Born 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.95mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃ 原产国家: China 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 工作温度-结: -50°C~125°C Vf正向峰值电压: 550mV 高度: 1.40mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:40V 电流:3A
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: Born 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.95mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃ 原产国家: China 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 工作温度-结: -50°C~125°C Vf正向峰值电压: 550mV 高度: 1.40mm 引脚数: 2Pin
SI2333
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: ±8V 额定功率: 1.25W 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,5.1A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.1A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -1μA 工作温度: +150℃ 脚间距: 1.9mm 原产国家: China 输入电容: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 认证信息: Active 栅极电荷(Qg): 920pF 高度: 0.97mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: ±8V 额定功率: 1.25W 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,5.1A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.1A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -1μA 工作温度: +150℃ 脚间距: 1.9mm 原产国家: China 输入电容: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 认证信息: Active 栅极电荷(Qg): 920pF 高度: 0.97mm
RCLAMP7534P-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: DFN2010 5V Cj=0.28PF
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.1uA 击穿电压: 6V 最大工作电压(DC): 5V 功率-峰值脉冲: 45W 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.00mm 存储温度: -55~+125℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN2010-5 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.5A 击穿电压Max: 9.5V 通道数: 5 结电容: 0.28pF@1MHz 高度: 0.50mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 7.2V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: DFN2010 5V Cj=0.28PF
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.1uA 击穿电压: 6V 最大工作电压(DC): 5V 功率-峰值脉冲: 45W 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.00mm 存储温度: -55~+125℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN2010-5 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.5A 击穿电压Max: 9.5V 通道数: 5 结电容: 0.28pF@1MHz 高度: 0.50mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 7.2V
PESD5V0L2BTN
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: [双向ESD, 静电TVS PCAN/串口]
安装类型: SMT 钳位电压: 20V 反向漏电流 IR: 0.1uA 击穿电压: 6V 最大工作电压(DC): 5V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 22A 系列: PESDxL2BT 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 通道数: 2 高度: 1.00mm 结电容: 65pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: [双向ESD, 静电TVS PCAN/串口]
安装类型: SMT 钳位电压: 20V 反向漏电流 IR: 0.1uA 击穿电压: 6V 最大工作电压(DC): 5V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 22A 系列: PESDxL2BT 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 通道数: 2 高度: 1.00mm 结电容: 65pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD