JINGDAO
商品列表
ES3BC
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@100V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 总电容C: 40pF 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 正向压降VF: 1V 长x宽/尺寸: 6.86 x 5.91mm 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active 高度: 2.34mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@100V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 总电容C: 40pF 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 正向压降VF: 1V 长x宽/尺寸: 6.86 x 5.91mm 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active 高度: 2.34mm 引脚数: 2Pin
ES5JBF
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 独立式 总电容50pF 反向耐压600V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 总电容C: 50pF 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 正向压降VF: 1.7V 长x宽/尺寸: 4.30 x 3.60mm 封装/外壳: SMBF 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 5A 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.7V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 独立式 总电容50pF 反向耐压600V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 总电容C: 50pF 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 正向压降VF: 1.7V 长x宽/尺寸: 4.30 x 3.60mm 封装/外壳: SMBF 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 5A 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.7V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
MM1Z5V1W
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面齐纳二极管 Vz=V Izt=5mA Pd=500mW
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 正向电流: 10mA 稳压值Vz: 5.1V 品牌: Jingdao Izt-测试电流: 5mA 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 130Ω 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SOD123W 工作温度: -55℃~+150℃ 标准稳压值: 5.1V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面齐纳二极管 Vz=V Izt=5mA Pd=500mW
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 正向电流: 10mA 稳压值Vz: 5.1V 品牌: Jingdao Izt-测试电流: 5mA 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 130Ω 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SOD123W 工作温度: -55℃~+150℃ 标准稳压值: 5.1V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active
MM1Z5V6B
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳二极管 Vz=5.6V 5.49V~5.71V Izt=5mA P=500mW SOD123
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 5.6V 品牌: Jingdao 功率: 500mW Izt-测试电流: 5mA 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm Zzt阻抗: 80Ω 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 1μA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 高度: 1.30mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳二极管 Vz=5.6V 5.49V~5.71V Izt=5mA P=500mW SOD123
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 5.6V 品牌: Jingdao 功率: 500mW Izt-测试电流: 5mA 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm Zzt阻抗: 80Ω 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 1μA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 高度: 1.30mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
US2J
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.65V@2A 反向电流(Ir)：5μA@600V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 正向压降VF: 1.65V 长x宽/尺寸: 4.25 x 2.67mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 2A 反向恢复时间(trr): 75ns 正向压降VF Max: 1.65V 零件状态: Active 高度: 2.14mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.65V@2A 反向电流(Ir)：5μA@600V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 正向压降VF: 1.65V 长x宽/尺寸: 4.25 x 2.67mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 2A 反向恢复时间(trr): 75ns 正向压降VF Max: 1.65V 零件状态: Active 高度: 2.14mm 引脚数: 2Pin
KBP310-C5.5
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 玻璃钝化桥式整流器 VR=1KV IR=5μA KBP
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Box packing 长x宽/尺寸: 14.75 x 3.65mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DB-4P_14.5X3.5MM_TM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 110A 平均整流电流: 3A 正向压降VF Max: 1.1V 高度: 12.80mm 零件状态: Active 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 玻璃钝化桥式整流器 VR=1KV IR=5μA KBP
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Box packing 长x宽/尺寸: 14.75 x 3.65mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DB-4P_14.5X3.5MM_TM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 110A 平均整流电流: 3A 正向压降VF Max: 1.1V 高度: 12.80mm 零件状态: Active 引脚数: 4Pin
US8MC
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 SMC VF=1.7V IF=8A
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: Jingdao 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.7V 长x宽/尺寸: 7.00 x 6.20mm 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1000V 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 8A 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 80ns 正向压降VF Max: 1.7V 零件状态: Active 高度: 2.62mm
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 SMC VF=1.7V IF=8A
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: Jingdao 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.7V 长x宽/尺寸: 7.00 x 6.20mm 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1000V 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 8A 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 80ns 正向压降VF Max: 1.7V 零件状态: Active 高度: 2.62mm
ES2GB
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 总电容40pF 反向耐压400V 反向漏电流μA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 总电容C: 40pF 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 正向压降VF: 1.25V 长x宽/尺寸: 4.41 x 3.62mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 2A 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.25V 零件状态: Active 高度: 2.20mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 总电容40pF 反向耐压400V 反向漏电流μA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Jingdao 总电容C: 40pF 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 正向压降VF: 1.25V 长x宽/尺寸: 4.41 x 3.62mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 2A 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.25V 零件状态: Active 高度: 2.20mm 引脚数: 2Pin
SMAFJ30CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 Vrrm=30V Vbr(min)=33.3V Vc= 48.4@Ipp =8.3A
安装类型: SMT 钳位电压: 48.4V 品牌: Jingdao 击穿电压: 33.3V 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 反向断态电压: 30V 存储温度: -55~+175℃ 封装/外壳: SMA-F 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 8.3A 系列: SMAFJ 击穿电压 V(BR)-min: 33.3V 击穿电压Max: 36.8V 高度: 1.10mm 结电容: 390pF 零件状态: Active 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 Vrrm=30V Vbr(min)=33.3V Vc= 48.4@Ipp =8.3A
安装类型: SMT 钳位电压: 48.4V 品牌: Jingdao 击穿电压: 33.3V 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 反向断态电压: 30V 存储温度: -55~+175℃ 封装/外壳: SMA-F 工作温度: -55℃~+175℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 8.3A 系列: SMAFJ 击穿电压 V(BR)-min: 33.3V 击穿电压Max: 36.8V 高度: 1.10mm 结电容: 390pF 零件状态: Active 类型: TVS
1SMAF4750A
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 27V 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 标准稳压值: 27V 反向耐压VR: 21V 功率耗散（最大值）: 1W 正向压降VF Max: 1.2V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 27V 原始制造商: Shandong Jingdao Microelectronics Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 标准稳压值: 27V 反向耐压VR: 21V 功率耗散（最大值）: 1W 正向压降VF Max: 1.2V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin