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WPM3012-3/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:2.9A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.9A 功率(Pd):800mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,3.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:2.9A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.9A 功率(Pd):800mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,3.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA