HOTTECH
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SS24A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管VR=40V IO=2A-SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: Hottech 参考重量: 0.095g 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV 长x宽/尺寸: 4.75 x 2.83mm 反向漏电流IR: 1mA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -55℃~+150℃ 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 2A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 高度: 2.30mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管VR=40V IO=2A-SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: Hottech 参考重量: 0.095g 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV 长x宽/尺寸: 4.75 x 2.83mm 反向漏电流IR: 1mA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -55℃~+150℃ 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 2A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 高度: 2.30mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
2SC1623L5
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):135@1mA,6V 特征频率(fT):250MHz 工作温度:+150℃@(Tj) L5(135~270)
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 集电极电流 Ic: 100mA 特征频率(fT): 250MHz 认证信息: RoHS 高度: 1.10mm DC电流增益(hFE): 135@1mA,6V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):135@1mA,6V 特征频率(fT):250MHz 工作温度:+150℃@(Tj) L5(135~270)
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 集电极电流 Ic: 100mA 特征频率(fT): 250MHz 认证信息: RoHS 高度: 1.10mm DC电流增益(hFE): 135@1mA,6V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
B5819LW
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基势垒二极管 VR=40V Io=500mA 120pF P=500mW SOD123
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: Hottech 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.70mm 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 1mA 工作温度: -65℃~+150℃ 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 500mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 600mV 高度: 1.25mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基势垒二极管 VR=40V Io=500mA 120pF P=500mW SOD123
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: Hottech 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.70mm 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 1mA 工作温度: -65℃~+150℃ 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 500mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 600mV 高度: 1.25mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
2SB1260-ZL
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-1A Vceo=-80V hfe=82~390 fT=100MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 500mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.62 x 2.62mm 封装/外壳: SOT89-3 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1A 原产国家: China 零件状态: 在售 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 82 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-1A Vceo=-80V hfe=82~390 fT=100MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 500mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.62 x 2.62mm 封装/外壳: SOT89-3 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1A 原产国家: China 零件状态: 在售 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 82 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SI2303
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 耐压20V,应用于中压开关电源,输入高阻抗电子电路
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 漏极电流Idss: -1.9A FET类型: P沟道 漏源极电压(Vdss): -30V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻Rds On(Max): 190mΩ 功率(Max): 350mW 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOT-23
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 耐压20V,应用于中压开关电源,输入高阻抗电子电路
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 漏极电流Idss: -1.9A FET类型: P沟道 漏源极电压(Vdss): -30V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻Rds On(Max): 190mΩ 功率(Max): 350mW 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOT-23
2SC1623-L5
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=135~270 fT=250MHz SOT-23
安装类型: SMT 功率耗散: 200mW Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 250MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 高度: 1.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 135 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=135~270 fT=250MHz SOT-23
安装类型: SMT 功率耗散: 200mW Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 250MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 高度: 1.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 135 引脚数: 3Pin
FR1M
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=1000V IF=1A
二极管配置: - 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Hottech 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 正向压降VF: 1.3V 长x宽/尺寸: 4.41 x 3.62mm 反向漏电流IR: - 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 原产国家: China 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 1.3V 高度: 2.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=1000V IF=1A
二极管配置: - 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Hottech 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 正向压降VF: 1.3V 长x宽/尺寸: 4.41 x 3.62mm 反向漏电流IR: - 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 原产国家: China 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 1.3V 高度: 2.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
1N4007L
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管/整流桥
描述: SOD-123FL VR:1000V IF:1A IFSM:30A IR:5μA VF:1V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: Hottech 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.1V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 二极管类型: - 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 1.1V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管/整流桥
描述: SOD-123FL VR:1000V IF:1A IFSM:30A IR:5μA VF:1V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: Hottech 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.1V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 二极管类型: - 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 1.1V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
KTC3265-EY
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=800mA Vceo=30V hfe=100~320 fT=120MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 200mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 120MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 800mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=800mA Vceo=30V hfe=100~320 fT=120MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 200mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 120MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 800mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN
KTA1504-ASY
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-150mA Vceo=-50V hfe=70~400 fT=80MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 150mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 80MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 150mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 70 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-150mA Vceo=-50V hfe=70~400 fT=80MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 150mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 80MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 150mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 70 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP