UNITEDSIC
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UF3C065030T3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 441W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065030
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 441W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065030
UJ3D1210TS
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 电流 - 平均整流 (Io): 10A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 10 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA @ 1200 V 不同 Vr、F 时电容: 510pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: UJ3D1210
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 电流 - 平均整流 (Io): 10A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 10 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA @ 1200 V 不同 Vr、F 时电容: 510pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: UJ3D1210
UJ3D06506TS
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 650V 6A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
制造商: UnitedSiC 系列: Gen-III 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 电流 - 平均整流 (Io): 6A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 6 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 650 V 不同 Vr、F 时电容: 196pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: UJ3D06506
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 650V 6A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
制造商: UnitedSiC 系列: Gen-III 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 电流 - 平均整流 (Io): 6A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 6 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 650 V 不同 Vr、F 时电容: 196pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: UJ3D06506
UJ3D06504TS
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 650V 4A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
制造商: UnitedSiC 系列: Gen-III 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 4A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 118pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 4 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 650 V 基本产品编号: UJ3D06504
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 650V 4A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
制造商: UnitedSiC 系列: Gen-III 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 4A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 118pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 4 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 650 V 基本产品编号: UJ3D06504
UJ3N120065K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: 1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1008pF @ 100V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 1200 V 漏源电压（Vdss）: 1200 V 漏极电流 (Id) - 最大值: 34 A 电阻 - RDS(On): 55 mOhms 功率 - 最大值: 254 W 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 5 µA @ 1200 V 基本产品编号: UJ3N120065
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: 1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1008pF @ 100V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 1200 V 漏源电压（Vdss）: 1200 V 漏极电流 (Id) - 最大值: 34 A 电阻 - RDS(On): 55 mOhms 功率 - 最大值: 254 W 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 5 µA @ 1200 V 基本产品编号: UJ3N120065
UJ3D1205TS
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 1200V 5A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 5A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 250pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 55 µA @ 1200 V 基本产品编号: UJ3D1205
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 1200V 5A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 5A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 250pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 55 µA @ 1200 V 基本产品编号: UJ3D1205
UF3C065030K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 441W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065030
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 441W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065030
UF3SC120040B7S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 35A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 214W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK-7 封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 35A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 214W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK-7 封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V
UF3C065030B3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 242W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D2Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065030
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 242W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D2Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065030
UF3SC065040D8S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 58毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 4-DFN（8x8） 封装/外壳: 4-PowerTSFN 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3SC065040
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 58毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 4-DFN（8x8） 封装/外壳: 4-PowerTSFN 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3SC065040