WINSOK
商品列表
WSK96N08
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=9mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 185W 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 185W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@10V,45A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.70mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 90A 反向传输电容Crss: 250pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 86nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 80V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=9mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 185W 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 185W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@10V,45A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.70mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 90A 反向传输电容Crss: 250pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 86nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 80V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSD80120DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：104W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 额定功率: 104W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: +175℃ 充电电量: 54nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.8mΩ 输入电容: 3.75nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 85V 栅极电荷(Qg): 54nC 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：104W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 额定功率: 104W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: +175℃ 充电电量: 54nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.8mΩ 输入电容: 3.75nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 85V 栅极电荷(Qg): 54nC 晶体管类型: N沟道
WST2316A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 5.5 VGS(th)(v) 0.7 RDS(ON)(m?)@4.57V 26 Qg(nC)@4.5V 9.5 QgS(nC) 1.6 Qgd(nC) 3 Ciss(pF) 854 Coss(pF) 95 Crss(pF) 69
安装类型: SMT 功率耗散: 1.2W 阈值电压: 0.7V@250uA 额定功率: 1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@4.5V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 1µA 反向传输电容Crss: 69pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 9.5nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.045nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 13nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 5.5 VGS(th)(v) 0.7 RDS(ON)(m?)@4.57V 26 Qg(nC)@4.5V 9.5 QgS(nC) 1.6 Qgd(nC) 3 Ciss(pF) 854 Coss(pF) 95 Crss(pF) 69
安装类型: SMT 功率耗散: 1.2W 阈值电压: 0.7V@250uA 额定功率: 1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@4.5V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 1µA 反向传输电容Crss: 69pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 9.5nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.045nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 13nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSF4022
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：39.4W
安装类型: SMT 功率耗散: 6.4W 阈值电压: 2.5V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252-4L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 18mΩ 输入电容: 815pF 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：39.4W
安装类型: SMT 功率耗散: 6.4W 阈值电压: 2.5V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252-4L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 18mΩ 输入电容: 815pF 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 4Pin
WST4040
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=5.8A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23-3
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 5.8A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=5.8A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23-3
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 5.8A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道
WST2088
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8.8A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.5W 额定功率: 1.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8.8A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 输入电容: 1.4nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8.8A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.5W 额定功率: 1.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8.8A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 输入电容: 1.4nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD2018BDN22
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 12 VGS(V) 8 ID(A)Max. 12.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.132V 8.6 Qg(nC)@4.5V 8.5 QgS(nC) 1.5 Qgd(nC) 2.2 Ciss(pF) 850 Coss(pF) 180 Crss(pF) 95
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.8W 额定功率: 2.8W 连续漏极电流Id@25℃: 12.3A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 2.08 X 2.08mm 封装/外壳: DFN2X2-6L 栅极源极击穿电压: ±8V 输入电容Ciss: 850pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 11.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 8.5nC 漏源电压(Vdss): 12V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 12 VGS(V) 8 ID(A)Max. 12.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.132V 8.6 Qg(nC)@4.5V 8.5 QgS(nC) 1.5 Qgd(nC) 2.2 Ciss(pF) 850 Coss(pF) 180 Crss(pF) 95
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.8W 额定功率: 2.8W 连续漏极电流Id@25℃: 12.3A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 2.08 X 2.08mm 封装/外壳: DFN2X2-6L 栅极源极击穿电压: ±8V 输入电容Ciss: 850pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 11.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 8.5nC 漏源电压(Vdss): 12V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WSD2090DN56
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5X6-8 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~175℃ 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：20V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 81W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 80A 极性: N-沟道 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 11.05nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 11.05nC 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5X6-8 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~175℃ 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：20V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 81W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 80A 极性: N-沟道 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 11.05nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 11.05nC 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道
WST2337A
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -15 VGS(V) 12 ID(A)Max. -4.8 VGS(th)(v) -0.7 RDS(ON)(m?)@4.36V 30 Qg(nC)@4.5V 7.8 QgS(nC) 1.2 Qgd(nC) 1.6 Ciss(pF) 738 Coss(pF) 280 Crss(pF) 190
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.4W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 0.7V@250uA 连续漏极电流Id@25℃: 4.8A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 15V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 190pF 输入电容Ciss: 738pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.8nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 15V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -15 VGS(V) 12 ID(A)Max. -4.8 VGS(th)(v) -0.7 RDS(ON)(m?)@4.36V 30 Qg(nC)@4.5V 7.8 QgS(nC) 1.2 Qgd(nC) 1.6 Ciss(pF) 738 Coss(pF) 280 Crss(pF) 190
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.4W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 0.7V@250uA 连续漏极电流Id@25℃: 4.8A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 15V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 190pF 输入电容Ciss: 738pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.8nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 15V 晶体管类型: P沟道
WSF4042
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-4 FET类型：N+P Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：±40V 连续漏极电流Id：±20A
安装类型: SMT 功率耗散: 32.9W 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 20A 包装: Tape/reel 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252-4L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 输入电容Ciss: 815pF,668pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5/7.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 18/20mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-4 FET类型：N+P Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：±40V 连续漏极电流Id：±20A
安装类型: SMT 功率耗散: 32.9W 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 20A 包装: Tape/reel 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252-4L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 输入电容Ciss: 815pF,668pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5/7.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 18/20mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型