WINSOK
商品列表
WSP4953
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=90mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,3A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: -5.3A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 输入电容: 463pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个P沟道(双) 类型: 2个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=90mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,3A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: -5.3A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 输入电容: 463pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个P沟道(双) 类型: 2个P沟道
WST2300A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 60mΩ 输入电容: 320pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.4nC 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 60mΩ 输入电容: 320pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.4nC 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD3095DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：59W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.6V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 原产国家: China 输入电容: 2.295nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：59W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.6V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 原产国家: China 输入电容: 2.295nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WST3035
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P-Channel Vdss=30V SOT-23-6L
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tube packing 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.4A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6 漏极电流: -4.4A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P-Channel Vdss=30V SOT-23-6L
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tube packing 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.4A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6 漏极电流: -4.4A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 6Pin
WSD30L90DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：40W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 40W 阈值电压: -1.8V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.02 x 5.87mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.6mΩ 输入电容: 3.2nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：40W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 40W 阈值电压: -1.8V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.02 x 5.87mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.6mΩ 输入电容: 3.2nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
WST2300
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.4A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 阈值电压: 0.85V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 70mΩ 原产国家: China 输入电容: 382pF 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.4A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 阈值电压: 0.85V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 70mΩ 原产国家: China 输入电容: 382pF 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSF4060
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=9mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 3W 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.6V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 60A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 32nC 配置: 单路 输入电容: 1.46nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=9mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 3W 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.6V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 60A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 32nC 配置: 单路 输入电容: 1.46nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
WSD20L70DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 -20V -70A 6.7mΩ DFN3X3-8L，可应用于电子烟、无线充、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 600mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 70A 封装/外壳: DFN8_3X3MM 元件生命周期: Active 漏极电流: -70A 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.9mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 70nC@4.5V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 -20V -70A 6.7mΩ DFN3X3-8L，可应用于电子烟、无线充、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 600mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 70A 封装/外壳: DFN8_3X3MM 元件生命周期: Active 漏极电流: -70A 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.9mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 70nC@4.5V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
WSD4066DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-channel VDS=40V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=17mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 14A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 漏极电流: 14A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 15.7nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 17mΩ 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-channel VDS=40V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=17mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 14A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 漏极电流: 14A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 15.7nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 17mΩ 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: 2个N沟道(双)
WSD2098DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9.7A P=1W 2通路
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.7V 额定功率: 1W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9.7A 封装/外壳: DFN2x3A-6 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.0mΩ 原产国家: China 输入电容: 1.47nF 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9.7A P=1W 2通路
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.7V 额定功率: 1W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9.7A 封装/外壳: DFN2x3A-6 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.0mΩ 原产国家: China 输入电容: 1.47nF 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin