WINSOK
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WST3400A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 12 ID(A)Max. 6.4 VGS(th)(v) 0.8 RDS(ON)(m?)@4.67V 20 Qg(nC)@4.5V 5.8 QgS(nC) 2.4 Qgd(nC) 2 Ciss(pF) 520 Coss(pF) 72 Crss(pF) 56
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 0.8V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20mA 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 56pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 12 ID(A)Max. 6.4 VGS(th)(v) 0.8 RDS(ON)(m?)@4.67V 20 Qg(nC)@4.5V 5.8 QgS(nC) 2.4 Qgd(nC) 2 Ciss(pF) 520 Coss(pF) 72 Crss(pF) 56
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 0.8V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20mA 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 56pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSR80N06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 80 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.488V - Qg(nC)@4.5V 36 QgS(nC) 9.9 Qgd(nC) 6.6 Ciss(pF) 2350 Coss(pF) 237 Crss(pF) 205
安装类型: 插件 品牌: Winsok 功率耗散: 110W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.28 x 4.45mm 封装/外壳: TO220AB 漏极电流: 80A 反向传输电容Crss: 205pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 充电电量: 36nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 15.17mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 80 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.488V - Qg(nC)@4.5V 36 QgS(nC) 9.9 Qgd(nC) 6.6 Ciss(pF) 2350 Coss(pF) 237 Crss(pF) 205
安装类型: 插件 品牌: Winsok 功率耗散: 110W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.28 x 4.45mm 封装/外壳: TO220AB 漏极电流: 80A 反向传输电容Crss: 205pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 充电电量: 36nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 15.17mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSK250N03
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.5mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 200W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 250A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 250A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 232nC 配置: 单路 输入电容: 10.6nF 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.5mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 200W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 250A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 250A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 232nC 配置: 单路 输入电容: 10.6nF 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道
WSD40120DN56G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：125W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 125W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM 反向传输电容Crss: 82pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 45nC 配置: 单路 输入电容: 3.972nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：125W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 125W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM 反向传输电容Crss: 82pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 45nC 配置: 单路 输入电容: 3.972nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WSD2018DN22
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道.20V.12A.10mΩ
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 2.00 x 2.00mm 封装/外壳: DFN6_2X2MM_EP 漏极电流: 12A 栅极源极击穿电压: ±10V 反向传输电容Crss: 450pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 32nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道.20V.12A.10mΩ
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 2.00 x 2.00mm 封装/外壳: DFN6_2X2MM_EP 漏极电流: 12A 栅极源极击穿电压: ±10V 反向传输电容Crss: 450pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 32nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道
WST05N10L
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-Ch MON沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 1.2V 包装: Tape/reel 极性: Normal 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 20pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 145mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-Ch MON沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 1.2V 包装: Tape/reel 极性: Normal 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 20pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 145mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD3020DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=21A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 14W 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 21A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 元件生命周期: Active 漏极电流: 21A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 62pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.9nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 原产国家: China 输入电容: 526pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=21A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 14W 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 21A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 元件生命周期: Active 漏极电流: 21A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 62pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.9nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 原产国家: China 输入电容: 526pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: 2个N沟道(双)
WSD20L50DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -50 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.172V 9 Qg(nC)@4.5V 25 QgS(nC) 1.6 Qgd(nC) 11 Ciss(pF) 1620 Coss(pF) 320 Crss(pF) 290
安装类型: SMT 功率耗散: 31.25W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: -50A 反向传输电容Crss: 290pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -50 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.172V 9 Qg(nC)@4.5V 25 QgS(nC) 1.6 Qgd(nC) 11 Ciss(pF) 1620 Coss(pF) 320 Crss(pF) 290
安装类型: SMT 功率耗散: 31.25W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: -50A 反向传输电容Crss: 290pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道
WST2005
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.6A
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1.6A 封装/外壳: SOT-323 漏极电流: -1.6A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 155mΩ 原产国家: China 输入电容: 472pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4.9nC@4.5V 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.6A
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1.6A 封装/外壳: SOT-323 漏极电流: -1.6A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 155mΩ 原产国家: China 输入电容: 472pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4.9nC@4.5V 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
WSD4023DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：32/-22A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 25W 阈值电压: 2V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 56pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：32/-22A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 25W 阈值电压: 2V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 56pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin