PRISEMI
商品列表
PDTC114YE
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: 数字晶体管(内置电阻) SOT-523 集电极电流Ic(Max):100mA 功率(Max):150mW NPN
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 功率耗散: 150mW 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 150mW 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd 输入电压: 300mV@100μA,5V 封装/外壳: SOT-523-3 电阻器比率: 4.7 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7.5Ω 漏源电压(Vdss): 40V 输入电阻: 10kΩ 零件状态: Active 高度: 0.75mm DC电流增益(hFE): 68@5mA,5V 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: 数字晶体管(内置电阻) SOT-523 集电极电流Ic(Max):100mA 功率(Max):150mW NPN
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 功率耗散: 150mW 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 150mW 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd 输入电压: 300mV@100μA,5V 封装/外壳: SOT-523-3 电阻器比率: 4.7 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7.5Ω 漏源电压(Vdss): 40V 输入电阻: 10kΩ 零件状态: Active 高度: 0.75mm DC电流增益(hFE): 68@5mA,5V 晶体管类型: NPN
PESDSC2FD5VB
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向5V低电容ESD保护器
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 反向漏电流 IR: 1uA 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN1006-2L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4A 最小包装: 10000pcs 结电容: 0.45pF@1MHz 高度: 0.49mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V 引脚数: 2Pin 应用: Consumer Electronics
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向5V低电容ESD保护器
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 反向漏电流 IR: 1uA 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN1006-2L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4A 最小包装: 10000pcs 结电容: 0.45pF@1MHz 高度: 0.49mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V 引脚数: 2Pin 应用: Consumer Electronics
PESDMC2FD5VB
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 双向ESD 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V 钳位电压(Vc)@Ipp:11V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 钳位电压 VC: 11V 反向漏电流 IR: 1uA 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 结电容值: 0.5pF@1MHz 封装/外壳: DFN1006-2L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4.2A 极性(单双向): 双向 击穿电压 V(BR)-min: 5.6V 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 零件状态: Active 应用: Consumer Electronics 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 双向ESD 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V 钳位电压(Vc)@Ipp:11V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 钳位电压 VC: 11V 反向漏电流 IR: 1uA 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 结电容值: 0.5pF@1MHz 封装/外壳: DFN1006-2L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4.2A 极性(单双向): 双向 击穿电压 V(BR)-min: 5.6V 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 零件状态: Active 应用: Consumer Electronics 引脚数: 2Pin
PTVSHC3D15VUH
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):15V@Max 击穿电压(最小值):16V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:60A@8/20μs 最大钳位电压:30V
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):15V@Max 击穿电压(最小值):16V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:60A@8/20μs 最大钳位电压:30V