KIA
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KND8103A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：7.2nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：572pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：65pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：7.2nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：572pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：65pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
KNY3204A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：137W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,24A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：137W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,24A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
KND3504A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：46.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.76nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：190pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：46.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.76nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：190pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)