KIA
商品列表
KND7610A
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：38mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，100V，25A
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：38mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，100V，25A
KCY3104S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：45nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.95nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：80pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：45nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.95nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：80pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)