YANGJIE
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SMBJ36CA-F1-1100HF
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 36V 58.1V SMB
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMBJ 零件状态: 有源 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 36V 电压 - 击穿（最小值）: 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10.33A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 双向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 36V 58.1V SMB
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMBJ 零件状态: 有源 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 36V 电压 - 击穿（最小值）: 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10.33A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 双向通道: 1
HDL6S-F1-0010
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: RECT BRIDGE 600V 0.8A MBLS
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SMD，鸥翼 供应商器件封装: MBLS 电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 500 mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 4 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: RECT BRIDGE 600V 0.8A MBLS
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SMD，鸥翼 供应商器件封装: MBLS 电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 500 mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 4 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
YJL2312A-F2-0100HF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 6.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA Vgs（最大值）: ±10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.25W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11.05 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 888 pF @ 10 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 6.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA Vgs（最大值）: ±10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.25W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11.05 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 888 pF @ 10 V
SR160-D1-0000
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 1A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 50pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 1 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 60 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 1A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 50pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 1 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 60 V
P4SMA12A-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: P4SMA 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 10.2V 电压 - 击穿（最小值）: 11.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 16.7V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.95A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA） 单向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: P4SMA 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 10.2V 电压 - 击穿（最小值）: 11.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 16.7V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.95A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA） 单向通道: 1
YJL2305A-F2-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36.4 毫欧 @ 5.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA Vgs（最大值）: ±10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 15 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.2 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 890 pF @ 9 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36.4 毫欧 @ 5.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA Vgs（最大值）: ±10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 15 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.2 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 890 pF @ 9 V
SMF6.0A-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 6VWM 10.3VC SOD123FL
==Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd<: >==SMF 零件状态: 在售 类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 6V 电压 - 击穿（最小值）: 6.67V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 10.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 19.42A 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123FL
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 6VWM 10.3VC SOD123FL
==Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd<: >==SMF 零件状态: 在售 类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 6V 电压 - 击穿（最小值）: 6.67V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 10.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 19.42A 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123FL
SMBJ36A-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMBJ 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 36V 电压 - 击穿（最小值）: 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10.33A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 单向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMBJ 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 36V 电压 - 击穿（最小值）: 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10.33A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 单向通道: 1
H2GF-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAF
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 2A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线 供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 反向恢复时间 (trr): 50 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAF
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 2A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线 供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 反向恢复时间 (trr): 50 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
RL207G-D1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO204AC
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 2A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 13pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AC，DO-15，轴向 供应商器件封装: DO-204AC（DO-15） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2.5 µA @ 1000 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO204AC
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 2A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 13pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AC，DO-15，轴向 供应商器件封装: DO-204AC（DO-15） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2.5 µA @ 1000 V