YANGJIE
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BZT52C33-F2-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: ZENER DIODE 33V 0.5W SOD-123
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 容差: ±6.06% 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 33 V 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 23.1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: ZENER DIODE 33V 0.5W SOD-123
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 容差: ±6.06% 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 33 V 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 23.1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
SMF12CA-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SOD123FL
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMF 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10.05A 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123FL 双向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SOD123FL
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMF 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10.05A 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123FL 双向通道: 1
SMBJ60CA-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMBJ 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 60V 电压 - 击穿（最小值）: 66.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 96.8V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 6.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 双向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMBJ 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 60V 电压 - 击穿（最小值）: 66.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 96.8V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 6.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 双向通道: 1
E2GF-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAF
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 2A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 16pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线 供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAF
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 2A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 16pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线 供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
BC807-40-F2-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: PNP TRANS 45V 0.5A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 晶体管类型: PNP 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 功率 - 最大值: 300 mW
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: PNP TRANS 45V 0.5A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 晶体管类型: PNP 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 功率 - 最大值: 300 mW
YJL2300A-F2-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: N-CH MOSFET 20V 4.5A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA Vgs（最大值）: ±10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.1 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 620 pF @ 10 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: N-CH MOSFET 20V 4.5A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA Vgs（最大值）: ±10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.1 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 620 pF @ 10 V
DB155-B1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: RECT BRIDGE 600V 1.5A DB
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-EDIP（0.321，8.15mm） 供应商器件封装: DB-1 电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1.5 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 700 mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: RECT BRIDGE 600V 1.5A DB
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-EDIP（0.321，8.15mm） 供应商器件封装: DB-1 电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1.5 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 700 mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
YJG30N06A-F1-0100HF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 45W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-PDFN（5x6） 封装/外壳: 8-PowerLDFN 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2027 pF @ 30 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 45W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-PDFN（5x6） 封装/外壳: 8-PowerLDFN 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2027 pF @ 30 V
BZT52B33-F2-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: ZENER DIODE 33V 0.5W SOD-123
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 容差: ±2.06% 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 33 V 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 25 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: ZENER DIODE 33V 0.5W SOD-123
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 容差: ±2.06% 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 33 V 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 25 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
RB751V-40-F2-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: 125°C（最大） 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 370 mV @ 1 mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 30 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: 125°C（最大） 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 370 mV @ 1 mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 30 V