YANGJIE
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1.5KE16A-D1-0000
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO201AE
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: 1.5KE 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 13.6V 电压 - 击穿（最小值）: 15.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 22.5V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 66.7A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-201AE，轴向 供应商器件封装: DO-201AE 单向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO201AE
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: 1.5KE 零件状态: 在售 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 13.6V 电压 - 击穿（最小值）: 15.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 22.5V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 66.7A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-201AE，轴向 供应商器件封装: DO-201AE 单向通道: 1
GBU2510-B1-0000
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: RECT BRIDGE 1000V 25A GBU
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU 电压 - 峰值反向（最大值）: 1 kV 电流 - 平均整流 (Io): 25 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 12.5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: RECT BRIDGE 1000V 25A GBU
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU 电压 - 峰值反向（最大值）: 1 kV 电流 - 平均整流 (Io): 25 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 12.5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
MMBTA92-F2-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: PNP TRANS 300V 0.3A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 250nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 10mA，10V 频率 - 跃迁: 50MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 300 V 功率 - 最大值: 300 mW
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: PNP TRANS 300V 0.3A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 250nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 10mA，10V 频率 - 跃迁: 50MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 300 V 功率 - 最大值: 300 mW
SMF5.0CA-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5V 9.2V SOD-123FL
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMF 零件状态: 有源 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 5V 电压 - 击穿（最小值）: 6.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.74A 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123FL 双向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5V 9.2V SOD-123FL
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMF 零件状态: 有源 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 5V 电压 - 击穿（最小值）: 6.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.74A 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123FL 双向通道: 1
YJL2304A-F2-0100HF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 39 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.2 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 520 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 39 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.2 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 520 pF @ 15 V
BZT52C33S-F2-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: ZENER DIODE 33V 0.2W SOD-323
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 容差: ±6.06% 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 33 V 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 23.1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: ZENER DIODE 33V 0.2W SOD-323
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 在售 容差: ±6.06% 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 33 V 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 23.1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
H1MF-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 1000V 1A SMAF
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 1A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线 供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 1 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 1000V 1A SMAF
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 1A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线 供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 1 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
GBU410-B1-0000
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: RECT BRIDGE 1000V 4A GBU
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU 电压 - 峰值反向（最大值）: 1kV 电流 - 平均整流 (Io): 4A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 2A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 1000V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: RECT BRIDGE 1000V 4A GBU
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU 电压 - 峰值反向（最大值）: 1kV 电流 - 平均整流 (Io): 4A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 2A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 1000V
SMBJ16CA-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 16V 26V SMB
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMBJ 零件状态: 有源 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 16V 电压 - 击穿（最小值）: 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.08A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 双向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 16V 26V SMB
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: SMBJ 零件状态: 有源 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 16V 电压 - 击穿（最小值）: 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.08A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级，电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 双向通道: 1
S34F-F1-0000HF
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMAF
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 3A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线 供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV @ 3 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 40 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMAF
制造商: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 系列: - 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 3A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线 供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV @ 3 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 40 V