MDD
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HER303
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 VR=200V IF=3A VF=1V IR=5uA trr=50nS
安装类型: 插件 二极管配置: 单路 品牌: MDD 总电容C: 70pF 包装: Box packing 正向压降VF: 1.3V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ5.60 x 9.50mm 封装/外壳: DO-27(DO-201AA) 反向漏电流IR: 5uA 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: HER301 - HER308 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 3A 最小包装: 1000pcs 反向恢复时间(trr): 50ns 结电容: 70pF 高度: 5.60mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 VR=200V IF=3A VF=1V IR=5uA trr=50nS
安装类型: 插件 二极管配置: 单路 品牌: MDD 总电容C: 70pF 包装: Box packing 正向压降VF: 1.3V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ5.60 x 9.50mm 封装/外壳: DO-27(DO-201AA) 反向漏电流IR: 5uA 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: HER301 - HER308 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 3A 最小包装: 1000pcs 反向恢复时间(trr): 50ns 结电容: 70pF 高度: 5.60mm 引脚数: 2Pin
SS510B
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VRRM:100V IAV:5A IFSM:150A IR:0.3μA Trr:DO-214AA/SMBns
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 总电容C: 200pF 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 300µA 工作温度: -55℃~+150℃ 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 5A 最小包装: 2000pcs 工作温度-结: -50°C~150°C 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VRRM:100V IAV:5A IFSM:150A IR:0.3μA Trr:DO-214AA/SMBns
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 总电容C: 200pF 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 300µA 工作温度: -55℃~+150℃ 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 5A 最小包装: 2000pcs 工作温度-结: -50°C~150°C 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
RS3GB
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=400V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 150ns 正向压降VF Max: 1.3V 零件状态: Active 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=400V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 150ns 正向压降VF Max: 1.3V 零件状态: Active 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
SMF5.0CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6.4V 最大钳位电压：9.2V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 5V 峰值脉冲功率: 200W 封装/外壳: SOD-123FL
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6.4V 最大钳位电压：9.2V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 5V 峰值脉冲功率: 200W 封装/外壳: SOD-123FL
SMBJ130A
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: SMB(DO-214AA) 130 V 209 V -65°C~150°C 单向
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMBJ5.0A(CA) - SMBJ440A(CA) 极性（单双向）: 单向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 130V 击穿电压 V(BR)-min: 144V 钳位电压 VC: 209V 峰值脉冲电流（Ipp）: 2.9A 峰值脉冲功率: 600W 工作温度: -65°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: SMB(DO-214AA) 130 V 209 V -65°C~150°C 单向
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMBJ5.0A(CA) - SMBJ440A(CA) 极性（单双向）: 单向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 130V 击穿电压 V(BR)-min: 144V 钳位电压 VC: 209V 峰值脉冲电流（Ipp）: 2.9A 峰值脉冲功率: 600W 工作温度: -65°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
SMBJ6.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：6.5V 击穿电压：7.22V 最大钳位电压：11.2V VRWM=6.5V，Vc=11.2V，Ipp=53.6A 单向
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMBJ5.0A(CA) - SMBJ440A(CA) 极性（单双向）: 单向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 6.5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.22V 钳位电压 VC: 11.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 53.6A 峰值脉冲功率: 600W 工作温度: -65°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：6.5V 击穿电压：7.22V 最大钳位电压：11.2V VRWM=6.5V，Vc=11.2V，Ipp=53.6A 单向
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMBJ5.0A(CA) - SMBJ440A(CA) 极性（单双向）: 单向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 6.5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.22V 钳位电压 VC: 11.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 53.6A 峰值脉冲功率: 600W 工作温度: -65°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
SS13-SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 电压:30V 电流:1A SMA(DO-214AC)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 正向电流: 1A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 1A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV 结电容: 110pF 应用: 消费级
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 电压:30V 电流:1A SMA(DO-214AC)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 正向电流: 1A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 1A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV 结电容: 110pF 应用: 消费级
SS2150
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VRRM:150V IAV:2A IFSM:50A IR:0.2μA Trr:DO-214AC/SMAns
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 2A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 封装/外壳: DO-214AC(SMA) 反向漏电流IR: 200µA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 系列: SS22-SS220 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 150V 反向耐压VR: 150V 平均整流电流: 2A 最小包装: 5000pcs 工作温度-结: -65°C~150°C 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 850mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VRRM:150V IAV:2A IFSM:50A IR:0.2μA Trr:DO-214AC/SMAns
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 2A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 封装/外壳: DO-214AC(SMA) 反向漏电流IR: 200µA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 系列: SS22-SS220 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 150V 反向耐压VR: 150V 平均整流电流: 2A 最小包装: 5000pcs 工作温度-结: -65°C~150°C 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 850mV 零件状态: Active
SK34
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=40V IF=3A IR=20mA SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 7.11 x 6.22mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 550mV 零件状态: Active 结电容: 500pF
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=40V IF=3A IR=20mA SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 7.11 x 6.22mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 550mV 零件状态: Active 结电容: 500pF
BZT52C22
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: PD=500mW，VF=0.9V，VZ=22V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Lt 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA Zzt阻抗: 250Ω 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 基准电压的容限率: 5% 最小包装: 3000pcs 稳态电流: 5mA 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active 容差: ±5% 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: PD=500mW，VF=0.9V，VZ=22V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Lt 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA Zzt阻抗: 250Ω 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 基准电压的容限率: 5% 最小包装: 3000pcs 稳态电流: 5mA 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active 容差: ±5% 应用: 通用