MDD

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ES3J-SMC
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=600V IF=3A 45pF Trr=35ns
产品分类: 快/超快恢复二极管二极管 工作温度: -55℃~150℃ 应用: 通用 总电容C: 45pF 系列: ES3AB - ES3JB 组态: Single 反向耐压VR(max): 600V 反向漏电流IR: 5uA 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF: 1.7V 平均整流电流IF: 3A 封装/外壳: SMC(DO-214AB)
RS2MB
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=1000V IF=2A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.3V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -50℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 1000V 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 500ns 零件状态: Active 高度: 2.13mm 引脚数: 2Pin
MBRF10100CT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=100V IF=10A VF=0.85V IR=1000uA
安装类型: 插件 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: ITO220AB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 150A 平均整流电流: 10A 最小包装: 50pcs 正向压降VF Max: 850mV 结电容: 450pF 高度: 19.00mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
FR157
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 VR=1000V IF=1.5A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS
二极管配置: 单路 安装类型: 插件 包装: Box packing 印字代码: MDD FR157 正向压降VF: 1.3V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ3.60 x 7.60mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DO-15(DO-204AC) 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 1000V 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1.5A 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 500ns 正向压降VF Max: 1.3V 结电容: 30pF 应用: 通用 引脚数: 2Pin
DSK16
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=60V IF=1A VF=0.70V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.70mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 300nA 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 1A 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin 应用: 通用
SMBJ90CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W,VRM=90V,VBR=100~111V,VC=146V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 146V 最大工作电压(DC): 90V 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向断态电压: 90V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 4.1A 系列: SMBJ 原产国家: China 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 2.44mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 90V
HER305
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 VR=400V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=50nS
二极管配置: 单路 安装类型: 插件 是否无铅: Yes 总电容C: 70pF 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 印字代码: MDD HER 305 正向压降VF: 1.3V 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: DO-27(DO-201AA) 反向漏电流IR: 5uA 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 400V 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 3A 最小包装: 1000pcs 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF Max: 1.3V 零件状态: Active
SF38
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 VR=600V IF=3A VF=1.7V IR=10uA trr=35nS
二极管配置: 单路 安装类型: 插件 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 印字代码: MDD SF38 正向压降VF: 1.7V 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: DO-27(DO-201AA) 反向漏电流IR: 10µA 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 600V 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.7V 高度: 5.60mm 零件状态: Active 应用: 通用
SOD1H3
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 VR=200V IF=1A VF=1V IR=5uA trr=50nS
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 总电容C: - 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: U3 正向压降VF: 1V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 存储温度: -50~+150℃ 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 5uA 工作温度: -50℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 1A 反向恢复时间(trr): 50ns 高度: 1.10mm 结电容: 15pF 引脚数: 2Pin
BZT52C9V1
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: PD=500mW,VF=0.9V,VZ=9.1V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 9.1V 品牌: MDD 精度: ±5% 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA Zzt阻抗: 100Ω 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 500nA 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 稳态电流: 5mA 功率耗散(最大值): 500mW 正向压降VF Max: 900mV 容差: ±5%