SANKEN ELECTRIC CO LTD
Sanken Electric Co., Ltd. 是模拟电源半导体产品全球领先供应商，设计制造种类繁多的电源管理 IC、电机控制 IC、LED 照明 IC 以及高品质汽车半导体器件和分立元件。
商品列表
RM2ZV1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL
制造商: Sanken 系列: - 包装: 带盒（TB） 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 1.2A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 910mV @ 1.5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL
制造商: Sanken 系列: - 包装: 带盒（TB） 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 1.2A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 910mV @ 1.5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 200V
SPI-6631M
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 全，半桥驱动器
描述: 半桥（3） Driver DC 电机，通用 DMOS 16-HSOP
类别: 集成电路（IC） 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 不適用於新設計 输出配置: 半桥（3） 应用: DC 电机，通用 接口: 逻辑 负载类型: 电感 技术: DMOS 导通电阻（典型值）: - 电流-输出/通道: 3A 电流-峰值输出: - 电压-电源: 13V ~ 33V 电压-负载: 13V ~ 33V 工作温度: -20°C ~ 150°C（TJ） 特性: - 故障保护: 限流，超温，UVLO 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装: 16-HSOP
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 全，半桥驱动器
描述: 半桥（3） Driver DC 电机，通用 DMOS 16-HSOP
类别: 集成电路（IC） 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 不適用於新設計 输出配置: 半桥（3） 应用: DC 电机，通用 接口: 逻辑 负载类型: 电感 技术: DMOS 导通电阻（典型值）: - 电流-输出/通道: 3A 电流-峰值输出: - 电压-电源: 13V ~ 33V 电压-负载: 13V ~ 33V 工作温度: -20°C ~ 150°C（TJ） 特性: - 故障保护: 限流，超温，UVLO 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装: 16-HSOP
EU02
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 400V 1A
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.4V @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 400ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 400V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 400V 1A
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.4V @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 400ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 400V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
2SA1493
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS PNP 200V 15A MT200
制造商: Sanken 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 晶体管类型: PNP 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 3V @ 1A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 5A，4V 频率 - 跃迁: 20MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 3-ESIP 供应商器件封装: MT-200 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 200 V 功率 - 最大值: 150 W
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS PNP 200V 15A MT200
制造商: Sanken 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 晶体管类型: PNP 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 3V @ 1A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 5A，4V 频率 - 跃迁: 20MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 3-ESIP 供应商器件封装: MT-200 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 200 V 功率 - 最大值: 150 W
STA434A
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
描述: TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
晶体管类型: 2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 4A 电压-集射极击穿（最大值）: 60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 2V @ 10mA，3A 电流-集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 1000 @ 3A，4V 功率-最大值: 4W 频率-跃迁: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 10-SIP 供应商器件封装: 10-SIP
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
描述: TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
晶体管类型: 2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 4A 电压-集射极击穿（最大值）: 60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 2V @ 10mA，3A 电流-集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 1000 @ 3A，4V 功率-最大值: 4W 频率-跃迁: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 10-SIP 供应商器件封装: 10-SIP
EL02ZV0
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL
制造商: Sanken 系列: - 包装: 带盒（TB） 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 1.5A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 反向恢复时间 (trr): 40ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 980mV @ 1.5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50µA @ 200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL
制造商: Sanken 系列: - 包装: 带盒（TB） 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 1.5A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 反向恢复时间 (trr): 40ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 980mV @ 1.5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50µA @ 200V
RS1AV
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 600V 700mA
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 700mA 不同If时的电压-正向（Vf: 2.5V @ 800mA 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 1.5µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 600V 700mA
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 700mA 不同If时的电压-正向（Vf: 2.5V @ 800mA 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 1.5µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
RM1ZV
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 200V 1A 轴向
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf: 950mV @ 1A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 200V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 200V 1A 轴向
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf: 950mV @ 1A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 200V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
RK36V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 肖特基 通孔 二极管 60V 2A
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 60V 电流-平均整流（Io）: 2A 不同If时的电压-正向（Vf: 620mV @ 2A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 2mA @ 60V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 肖特基 通孔 二极管 60V 2A
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 60V 电流-平均整流（Io）: 2A 不同If时的电压-正向（Vf: 620mV @ 2A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 2mA @ 60V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
FKI06051
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 60V 69A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 69A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 90.6nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6210pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 42W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 60V 69A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 69A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 90.6nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6210pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 42W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包