SANKEN ELECTRIC CO LTD
Sanken Electric Co., Ltd. 是模拟电源半导体产品全球领先供应商，设计制造种类繁多的电源管理 IC、电机控制 IC、LED 照明 IC 以及高品质汽车半导体器件和分立元件。
商品列表
STA421A
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列 系列: - 包装: 散装 晶体管类型: 4 PNP（四路） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 3A 电压-集射极击穿（最大值）: 60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 1V @ 200mA，2A 电流-集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 40 @ 1A，4V 功率-最大值: 4W 频率-跃迁: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 10-SIP 供应商器件封装: 10-SIP 其它名称: STA421A DK
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列 系列: - 包装: 散装 晶体管类型: 4 PNP（四路） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 3A 电压-集射极击穿（最大值）: 60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 1V @ 200mA，2A 电流-集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 40 @ 1A，4V 功率-最大值: 4W 频率-跃迁: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 10-SIP 供应商器件封装: 10-SIP 其它名称: STA421A DK
EG01A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 500MA AXIAL
制造商: Sanken 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 500mA 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 100ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2V @ 500mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100µA @ 600V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 500MA AXIAL
制造商: Sanken 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 500mA 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 100ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2V @ 500mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100µA @ 600V
EKI10198
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 116W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55.8 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3990 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 116W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55.8 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3990 pF @ 25 V
FMNS-1106S
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 10A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 整包 供应商器件封装: TO-220F-2L 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 100ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 10A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100µA @ 600V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 10A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 整包 供应商器件封装: TO-220F-2L 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 100ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 10A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100µA @ 600V
ES1FV
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 1500V 500mA
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1500V 电流-平均整流（Io）: 500mA 不同If时的电压-正向（Vf: 2V @ 500mA 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 1.5µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 1500V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 1500V 500mA
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1500V 电流-平均整流（Io）: 500mA 不同If时的电压-正向（Vf: 2V @ 500mA 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 1.5µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 1500V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: - 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
SLA5227
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 30A PFC
制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: - 开关能量: - 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: - 测试条件: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 12-SIP 供应商器件封装: 12-SIP（带鳍片） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30 A
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 30A PFC
制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: - 开关能量: - 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: - 测试条件: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 12-SIP 供应商器件封装: 12-SIP（带鳍片） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30 A
EKI04047
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 80A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.2 毫欧 @ 42.8A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 650µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 35.3nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2410pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 90W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 80A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.2 毫欧 @ 42.8A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 650µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 35.3nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2410pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 90W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3
STA6940M
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 电机驱动器，控制器
描述: IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 18ZIP
制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 电机类型 - 步进: - 电机类型 - AC，DC: 有刷直流 功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级 输出配置: 半桥（2） 接口: 并联 技术: 功率 MOSFET 步进分辨率: - 应用: 通用 电流 - 输出: 4A 电压 - 供电: 3V ~ 5.5V 电压 - 负载: 10V ~ 40V 工作温度: -20°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 18-SSIP 成形引线 供应商器件封装: 18-ZIP
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 电机驱动器，控制器
描述: IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 18ZIP
制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 电机类型 - 步进: - 电机类型 - AC，DC: 有刷直流 功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级 输出配置: 半桥（2） 接口: 并联 技术: 功率 MOSFET 步进分辨率: - 应用: 通用 电流 - 输出: 4A 电压 - 供电: 3V ~ 5.5V 电压 - 负载: 10V ~ 40V 工作温度: -20°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 18-SSIP 成形引线 供应商器件封装: 18-ZIP
FKV550N
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 50V 50A TO220F
制造商: Sanken 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 35W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 50 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 10 V 基本产品编号: FKV550
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 50V 50A TO220F
制造商: Sanken 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 35W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 50 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 10 V 基本产品编号: FKV550
FML-G12S
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 200V 5A TO-220F-2L
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）: 5A 不同If时的电压-正向（Vf: 980mV @ 5A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 40ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 200V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 整包 供应商器件封装: TO-220F-2L 工作温度-结: -40°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 通孔 二极管 200V 5A TO-220F-2L
类别: 分立半导体产品 制造商: Sanken 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）: 5A 不同If时的电压-正向（Vf: 980mV @ 5A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 40ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 200V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 整包 供应商器件封装: TO-220F-2L 工作温度-结: -40°C ~ 150°C