ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Alpha and Omega Semiconductor is committed to excellence in design, manufacturing, and responsiveness to our customers through the continued development of new technologies, products and innovative solutions.
商品列表
AON7506
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.8 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），20.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.2 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 542 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.8 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），20.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.2 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 542 pF @ 15 V
AOT412
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 包装: 管件 零件状态: 不適用於新設計 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.2A（Ta），60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta），150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 54 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3220 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 包装: 管件 零件状态: 不適用於新設計 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.2A（Ta），60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta），150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 54 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3220 pF @ 50 V
AOK53S60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 53A TO247
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: aMOS™ 包装: 管件 零件状态: 不適用於新設計 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 53A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 70 毫欧 @ 26.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 520W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3034 pF @ 100 V 基本产品编号: AOK53
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 53A TO247
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: aMOS™ 包装: 管件 零件状态: 不適用於新設計 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 53A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 70 毫欧 @ 26.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 520W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3034 pF @ 100 V 基本产品编号: AOK53
AOT10N65
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 250W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1645 pF @ 25 V 基本产品编号: AOT10
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 250W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1645 pF @ 25 V 基本产品编号: AOT10
AOB1404L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），220A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.7V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），417W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D2Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 86 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300 pF @ 20 V 基本产品编号: AOB1404
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），220A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.7V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），417W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D2Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 86 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300 pF @ 20 V 基本产品编号: AOB1404
AOK60B65M3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 650V 60A TO247
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: Alpha IGBT™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.45V @ 15V，60A 开关能量: 2.6mJ（开），1.3mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 44ns/166ns 测试条件: 400V，60A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A 功率 - 最大值: 500 W 栅极电荷: 106 nC 反向恢复时间 (trr): 346 ns 基本产品编号: AOK60B65
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 650V 60A TO247
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: Alpha IGBT™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.45V @ 15V，60A 开关能量: 2.6mJ（开），1.3mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 44ns/166ns 测试条件: 400V，60A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A 功率 - 最大值: 500 W 栅极电荷: 106 nC 反向恢复时间 (trr): 346 ns 基本产品编号: AOK60B65
AON7200L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.8A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），62W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1300 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.8A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），62W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1300 pF @ 15 V
AOTF11C60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2010 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2010 pF @ 50 V
AO7404
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 225 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 800mV @ 250µA Vgs（最大值）: ±8V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SC-70-3 封装/外壳: SC-70，SOT-323 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.57 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 101 pF @ 10 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 225 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 800mV @ 250µA Vgs（最大值）: ±8V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SC-70-3 封装/外壳: SC-70，SOT-323 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.57 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 101 pF @ 10 V
AOT2610L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 9A/55A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），75W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2007 pF @ 30 V 基本产品编号: AOT2610
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 9A/55A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），75W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2007 pF @ 30 V 基本产品编号: AOT2610