TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
2SC2859-O(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停產 晶体管类型: NPN 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 100mA，1V 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: S-Mini 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 功率 - 最大值: 150 mW 基本产品编号: TCR2EF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停產 晶体管类型: NPN 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 100mA，1V 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: S-Mini 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 功率 - 最大值: 150 mW 基本产品编号: TCR2EF
2SK1119(F)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.8 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 100W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 基本产品编号: 2SC2655
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.8 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 100W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 基本产品编号: 2SC2655
TB6674FAG
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 电机驱动器，控制器
描述: IC MTR DRV BIPLR 4.5-5.5V 16SSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 电机类型 - 步进: 双极性 电机类型 - AC，DC: - 功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级 输出配置: 半桥（4） 接口: 并联 技术: 功率 MOSFET 步进分辨率: - 应用: 通用 电流 - 输出: 100mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 电压 - 负载: 2.7V ~ 22V 工作温度: -30°C ~ 75°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOP（0.181，4.60mm 宽） 供应商器件封装: 16-SSOP 基本产品编号: TB6674
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 电机驱动器，控制器
描述: IC MTR DRV BIPLR 4.5-5.5V 16SSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 电机类型 - 步进: 双极性 电机类型 - AC，DC: - 功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级 输出配置: 半桥（4） 接口: 并联 技术: 功率 MOSFET 步进分辨率: - 应用: 通用 电流 - 输出: 100mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 电压 - 负载: 2.7V ~ 22V 工作温度: -30°C ~ 75°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOP（0.181，4.60mm 宽） 供应商器件封装: 16-SSOP 基本产品编号: TB6674
TLP185(GRH-TR,SE
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOCOUPLER TRANS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 150% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 300% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V Vce 饱和压降（最大）: 300mV 工作温度: -55°C ~ 110°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.179，4.55mm 宽），4 引线 供应商器件封装: 6-SO，4 个接脚 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA 基本产品编号: TLP185
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOCOUPLER TRANS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 150% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 300% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V Vce 饱和压降（最大）: 300mV 工作温度: -55°C ~ 110°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.179，4.55mm 宽），4 引线 供应商器件封装: 6-SO，4 个接脚 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA 基本产品编号: TLP185
DF2S6M4SL,L3F
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5.5V 15V SL2
UnidirectionalChannels: 1 Category: Circuit ProtectionTransient Voltage Suppressors (TVS)TVS Diodes Applications: General Purpose RoHSStatus: ROHS3 Compliant OperatingTemperature: 150°C (TJ) Capacitance@Frequency: 0.35pF @ 1MHz ProductStatus: Active Package/Case: 2-SMD, No Lead MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount Current-PeakPulse(10/1000µs): 2A Series: - Type: Zener Voltage-Breakdown(Min): 5.6V PowerLineProtection: No SupplierDevicePackage: SL2 BaseProductNumber: DF2S6 Voltage-ReverseStandoff(Typ): 5.5V (Max) Power-PeakPulse: 30W Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® Voltage-Clamping(Max)@Ipp: 15V HTSUS: 8541.10.0080
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5.5V 15V SL2
UnidirectionalChannels: 1 Category: Circuit ProtectionTransient Voltage Suppressors (TVS)TVS Diodes Applications: General Purpose RoHSStatus: ROHS3 Compliant OperatingTemperature: 150°C (TJ) Capacitance@Frequency: 0.35pF @ 1MHz ProductStatus: Active Package/Case: 2-SMD, No Lead MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount Current-PeakPulse(10/1000µs): 2A Series: - Type: Zener Voltage-Breakdown(Min): 5.6V PowerLineProtection: No SupplierDevicePackage: SL2 BaseProductNumber: DF2S6 Voltage-ReverseStandoff(Typ): 5.5V (Max) Power-PeakPulse: 30W Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® Voltage-Clamping(Max)@Ipp: 15V HTSUS: 8541.10.0080
TPC8A06-H(TE12LQM)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.1 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: 肖特基二极管（体） 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1800 pF @ 10 V 基本产品编号: TLP748
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.1 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: 肖特基二极管（体） 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1800 pF @ 10 V 基本产品编号: TLP748
RN4902,LF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
==Toshiba Semiconductor and Storage<: >==- 零件状态: 停产 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧 电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA 频率 - 跃迁: 200MHz 功率 - 最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
==Toshiba Semiconductor and Storage<: >==- 零件状态: 停产 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧 电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA 频率 - 跃迁: 200MHz 功率 - 最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6
TA48M03F(T6L1,SNQ)
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 3V 500MA PW-MOLD
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 最后售卖 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 29V 电压 - 输出（最小值/固定）: 3V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.65V @ 500mA 电流 - 输出: 500mA PSRR: 70dB（120Hz） 控制特性: - 保护功能: 过流，超温，过压，反极性 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: PW-MOLD 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 1.4 mA 电流 - 供电（最大值）: 25 mA 基本产品编号: TCR2LE
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 3V 500MA PW-MOLD
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 最后售卖 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 29V 电压 - 输出（最小值/固定）: 3V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.65V @ 500mA 电流 - 输出: 500mA PSRR: 70dB（120Hz） 控制特性: - 保护功能: 过流，超温，过压，反极性 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: PW-MOLD 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 1.4 mA 电流 - 供电（最大值）: 25 mA 基本产品编号: TCR2LE
RN4911(T5L,F,T)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式 系列: - 包装: Digi-Reel® 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 10k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: - 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 120 @ 1mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率-跃迁: 200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6 其它名称: RN4911(T5LFT)DKR
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式 系列: - 包装: Digi-Reel® 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 10k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: - 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 120 @ 1mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率-跃迁: 200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6 其它名称: RN4911(T5LFT)DKR