TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
DF3A5.6FU(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: Clamp Ipp Tvs Diode 表面贴装 USM
UnidirectionalChannels: 2 Category: Circuit ProtectionTransient Voltage Suppressors (TVS)TVS Diodes Applications: General Purpose RoHSStatus: ROHS3 Compliant OperatingTemperature: - Capacitance@Frequency: 65pF @ 1MHz ProductStatus: Active Package/Case: SC-70, SOT-323 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount Current-PeakPulse(10/1000µs): - Series: - Type: Zener Voltage-Breakdown(Min): 5.3V PowerLineProtection: No SupplierDevicePackage: USM BaseProductNumber: DF3A5.6 Voltage-ReverseStandoff(Typ): 2.5V Power-PeakPulse: - Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® Voltage-Clamping(Max)@Ipp: - HTSUS: 8541.10.0080
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: Clamp Ipp Tvs Diode 表面贴装 USM
UnidirectionalChannels: 2 Category: Circuit ProtectionTransient Voltage Suppressors (TVS)TVS Diodes Applications: General Purpose RoHSStatus: ROHS3 Compliant OperatingTemperature: - Capacitance@Frequency: 65pF @ 1MHz ProductStatus: Active Package/Case: SC-70, SOT-323 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount Current-PeakPulse(10/1000µs): - Series: - Type: Zener Voltage-Breakdown(Min): 5.3V PowerLineProtection: No SupplierDevicePackage: USM BaseProductNumber: DF3A5.6 Voltage-ReverseStandoff(Typ): 2.5V Power-PeakPulse: - Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® Voltage-Clamping(Max)@Ipp: - HTSUS: 8541.10.0080
RN1501(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: Digi-Key 停产 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧 电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 千欧 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 30 @ 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁: 250MHz 功率 - 最大值: 300mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74A，SOT-753 供应商器件封装: SMV 基本产品编号: TLP3063
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: Digi-Key 停产 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧 电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 千欧 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 30 @ 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁: 250MHz 功率 - 最大值: 300mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74A，SOT-753 供应商器件封装: SMV 基本产品编号: TLP3063
TK14N65W,S1F
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Vgs(th)(Max)@Id: 3.5V @ 690µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 35 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-247 BaseProductNumber: TK14N65 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 13.7A (Ta) Vgs(Max): ±30V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 130W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 650 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V Package/Case: TO-247-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 1300 pF @ 300 V Series: DTMOSIV FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Vgs(th)(Max)@Id: 3.5V @ 690µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 35 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-247 BaseProductNumber: TK14N65 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 13.7A (Ta) Vgs(Max): ±30V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 130W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 650 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V Package/Case: TO-247-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 1300 pF @ 300 V Series: DTMOSIV FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
RN1302,LF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHSStatus: ROHS3 Compliant Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 50 V ProductStatus: Active Package/Case: SC-70, SOT-323 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 TransistorType: NPN - Pre-Biased MountingType: Surface Mount Current-CollectorCutoff(Max): 500nA Series: - Frequency-Transition: 250 MHz SupplierDevicePackage: SC-70 BaseProductNumber: RN1302 Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage DCCurrentGain(hFE)(Min)@Ic,Vce: 50 @ 10mA, 5V VceSaturation(Max)@Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current-Collector(Ic)(Max): 100 mA Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® Resistor-Base(R1): 10 kOhms HTSUS: 8541.21.0075 Power-Max: 100 mW Resistor-EmitterBase(R2): 10 kOhms
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHSStatus: ROHS3 Compliant Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 50 V ProductStatus: Active Package/Case: SC-70, SOT-323 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 TransistorType: NPN - Pre-Biased MountingType: Surface Mount Current-CollectorCutoff(Max): 500nA Series: - Frequency-Transition: 250 MHz SupplierDevicePackage: SC-70 BaseProductNumber: RN1302 Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage DCCurrentGain(hFE)(Min)@Ic,Vce: 50 @ 10mA, 5V VceSaturation(Max)@Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current-Collector(Ic)(Max): 100 mA Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® Resistor-Base(R1): 10 kOhms HTSUS: 8541.21.0075 Power-Max: 100 mW Resistor-EmitterBase(R2): 10 kOhms
2SC6026CT-Y(TPL3)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 2mA，6V 频率 - 跃迁: 60MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-101，SOT-883 供应商器件封装: CST3 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V 功率 - 最大值: 100 mW 基本产品编号: TLP161
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 2mA，6V 频率 - 跃迁: 60MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-101，SOT-883 供应商器件封装: CST3 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V 功率 - 最大值: 100 mW 基本产品编号: TLP161
TC74LCX374FTELM
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 触发器
描述: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 74LCX 零件状态: Digi-Key 停产 功能: 标准 类型: D 型 输出类型: 三态，非反相 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 8.5ns @ 3.3V，50pF 触发器类型: 正边沿 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 电压 - 供电: 2V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 20-TSSOP 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 元件数: 1 每个元件位数: 8 时钟频率: 150MHz 电流 - 静态 (Iq): 10µA 输入电容: 7pF 基本产品编号: TLP3825
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 触发器
描述: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 74LCX 零件状态: Digi-Key 停产 功能: 标准 类型: D 型 输出类型: 三态，非反相 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 8.5ns @ 3.3V，50pF 触发器类型: 正边沿 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 电压 - 供电: 2V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 20-TSSOP 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 元件数: 1 每个元件位数: 8 时钟频率: 150MHz 电流 - 静态 (Iq): 10µA 输入电容: 7pF 基本产品编号: TLP3825
TPC8110(TE12L,Q,M)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2180 pF @ 10 V 基本产品编号: TLP731
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2180 pF @ 10 V 基本产品编号: TLP731
RN2401(T5L,F,T)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: PNP - 预偏压 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 4.7k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 30 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: S-Mini 其它名称: RN2401(T5LFT)RN2401T5LFT
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: PNP - 预偏压 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 4.7k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 30 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: S-Mini 其它名称: RN2401(T5LFT)RN2401T5LFT
TMP92CZ26AXBG
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 嵌入式 - 微控制器 系列: TLCS-900/H1 包装: 托盘 核心处理器: 900/H1 核心尺寸: 32-位 速度: 80MHz 连接性: I²C，IrDA，SIO，SPI，USB 外设: DMA，I²S，LCD，WDT I/O数: 136 程序存储容量: - 程序存储器类型: ROMless EEPROM容量: - RAM容量: 288K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）: 1.4 V ~ 3.6 V 数据转换器: A/D 6x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -20°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 228-FBGA 供应商器件封装: *
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 嵌入式 - 微控制器 系列: TLCS-900/H1 包装: 托盘 核心处理器: 900/H1 核心尺寸: 32-位 速度: 80MHz 连接性: I²C，IrDA，SIO，SPI，USB 外设: DMA，I²S，LCD，WDT I/O数: 136 程序存储容量: - 程序存储器类型: ROMless EEPROM容量: - RAM容量: 288K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）: 1.4 V ~ 3.6 V 数据转换器: A/D 6x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -20°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 228-FBGA 供应商器件封装: *
TD62083AFG,N
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 驱动器，接收器，收发器
描述: IC DRIVER 8/0 18SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 类型: 驱动器 协议: - 驱动器/接收器数: 8/0 双工: - 数据速率: - 电压 - 供电: 5V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 18-SOIC（0.276，7.00mm 宽） 供应商器件封装: 18-SOP 基本产品编号: 2SC2235
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 驱动器，接收器，收发器
描述: IC DRIVER 8/0 18SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 类型: 驱动器 协议: - 驱动器/接收器数: 8/0 双工: - 数据速率: - 电压 - 供电: 5V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 18-SOIC（0.276，7.00mm 宽） 供应商器件封装: 18-SOP 基本产品编号: 2SC2235