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CSD25481F4 TI
场效应管(MOSFET)
P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4
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BQ7790500PWR TI
电池管理芯片
BQ77904 和 BQ77905 器件为低功耗电池组保护器,无需微控制器 (MCU) 控制即可实现一系列电压、电流和温度保护。该器件的可堆叠接口可进行简单扩展,支持从 3 节串联到 20 节或更多节数串联的电池应用。保护阈值和延迟均为出厂编程设定,有多种配置可供选用。为提升灵活性,还提供了单独的过热和欠温放电阈值(OTD 和 UTD)以及过热和欠温充电阈值(OTC 和 UTC)。; 此器件可通过集成的独立 CHG 和 DSG 低侧 NMOS FET 驱动器实现电池组保护,这些驱动器可通过两个控制引脚禁用。
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CD4013BPWR TI
触发器
CMOS 双路 D 类触发器
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TS5A3159ADCKR TI
模拟开关/多路复用器
TS5A3159A 器件是单极双投 (SPDT) 模拟开关,设计的工作电压为 1.65V 至 5.5V。该器件提供低导通电阻和出色的导通电阻匹配以及先断后合功能,能够防止信号从一个通道传输至另一通道时失真。此器件具有出色的总谐波失真 (THD) 性能并且能耗极低。这些 特性 使得这款器件适合于便携式音频 应用。
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NA555DR TI
实时时钟(RTC)和计时器
These devices are precision timing circuits capable of producing accurate time delays or oscillation. In the time-delay or mono-stable mode of operation, the timed interval is controlled by a single external resistor and capacitor network. In the a-stable
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TS5USBA224RSWR TI
模拟开关/多路复用器
TS5USBA224 是一款双刀双掷 (DPDT) 多路复用器,该器件在同一个封装中集成了一个低失真音频开关和一个 USB 2.0 高速 (480Mbps) 开关。 这种配置使得系统设计人员能够采用一个用于音频和 USB 数据的公共连接器。 音频开关专为允许音频信号摆动至地电位以下而设计,从而实现了这种公共连接器配置。; TS5USBA224 采用 V; 来上电。 当 A; = 高电平时,将选择音频通路 (而不管 V; 上的逻辑电平是多少)。 如果 A; = 低电平且 V; = 高电平,则选择 USB 通路
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CD4541BM TI
实时时钟(RTC)和计时器
CMOS 可编程定时器 - 高电压类型(额定 20V)
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TLC272AIDR TI
运算放大器
The TLC272 and TLC277 precision dual operational amplifiers combine a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift, high input impedance, low noise, and speeds approaching those of general-purpose BiFET devices.; These devices us
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SN74LVC2G02DCTR TI
逻辑门
双路 2 输入正或非门
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SN74AHCT86DR TI
逻辑门
四路 2 输入异或门
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TPD4E001DRLR TI
静电放电(ESD)保护器件
TPD4E001 是一款基于静电放电 (ESD) 保护二极管阵列的四通道瞬态电压抑制器 (TVS)。TPD4E001 的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2(4 级)国际标准中规定的最高水平。该器件每通道具有 1.5pF IO 电容,因此非常适合用在高速数据 IO 接口中。具有超低泄漏电流(最大值 < 1nA),因此适合在血糖仪和心率监护仪等 应用 中进行精密模拟测量。; TPD4E001 可提供 DRL(SOT)、DBV (SOT-23)、DCK (SC-70)、DRS (QFN)
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TL331KDBVR TI
比较器
TL331B 和 TL391B 器件是业界通用 TL331 比较器的下一代版本。下一代器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,其特性包括更低的失调电压、更高的电源电压能力、更低的电源电流、更低的输入偏置电流、更低的传播延迟、更宽的温度范围以及更高的 2kV ESD 性能,并提供了直接替代的便利性。TL331B 是经改进的 TL331I 和 TL331K 版本直接替代产品,而 TL391B 可提供 TL331B 的替代引脚排列,以替代同类竞争器件。; 如果两个电源的电压差处于 2V 至 36V 范围内且 VCC
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COMPUTEX — 2024 年 6 月 2 日— NVIDIA 与全球多家领先计算机制造商于今日共同发布一系列采用 NVIDIA Blackwell 架构的系统,这些系统搭载 Grace CPU 以及 NVIDIA 网络和基础设施,助力于企业建立 AI 工厂和数据中心,推动新一轮生成式 AI 突破。
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2024年6月5日 11:21
随着ChatGPT爆火,国内地方政府、科研机构、科技企业纷纷表示,已经着手类ChatGPT大模型技术的研究和推进,这是一件具有长远战略意义的事。
6968
2023年4月3日 16:15
从OpenAI去年底推出ChatGPT以来,人工智能领域持续火热。近日,高潮更是一波接着一波,首先是OpenAI继ChatGPT之后又推出了更强大的大型多模态模型GPT-4,接着是国内百度终于正式发布了其大型语言模型文心一言。昨日,微软宣布将GPT-4全面接入所有办公软件,更是炸翻全场。
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2023年3月18日 12:26
日前,埃隆·马斯克以Neuralink公司老板的身份宣布,预计将在6个月后进行大脑芯片的人体试验。“Neuralink公司已经向美国食品药品监督管理局提交文件。我们将谨慎地把芯片放入人体内,以确保它能正常工作。”
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2022年12月5日 11:04
俄乌冲突以来,美国与欧盟纷纷对俄罗斯采取了制裁措施,近日从一名美国官员口中传出了由于遭到欧美制裁,俄罗斯多数军工及民用产业均受到极大影响的消息。
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2022年4月6日 03:21
根据韩媒zdnet报道,三星显示(以下SDC)将从明年3季度开始从忠南牙山的Q1工厂生产出65吋4K像素 QD OLED面板。面板将供应至三星电子和索尼,初期的量产数量约在20万台。
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2022年4月5日 13:00
电子发烧友网报道(文/李弯弯)俄乌开战之后,美国出台全面的制裁和出口管制措施,包括禁止向俄罗斯出售指定的高科技产品,包括高端半导体产品。
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2022年4月5日 12:36
3月19日,日本软银集团旗下的Arm公司确认将停止俄罗斯业务,正式加入了制裁俄罗斯的队列中。目前,全球两大主流的处理器架构X86和ARM均在俄罗斯被禁用。
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2022年4月5日 12:21
美国找回半导体霸主地位的决心似乎已经愈发昭然若揭了,在半导体制造上,一大批晶圆代工厂纷纷前往美国建厂,诸如台积电、三星等。然而,在学术研究上,本就位于前列的老美似乎还想更近一步,充分利用全球顶尖半导体公司的技术和人才储备,来提升其学术实力,这其中首当其冲的领域就是AI。
3137
2022年4月5日 12:14
经常有朋友问,“为什么认为众核异构计算是必然趋势呢?”。实际上这个问题在业内已经是共识了,所以本文希望从更浅显的角度来解释这个问题。
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2022年4月5日 12:07